[发明专利]背照式图像传感器有效
申请号: | 201711084283.2 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107919373B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 万贺;方桂芹;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种背照式图像传感器,背照式图像传感器包括:感光器件层、金属互连层、微透镜阵列、信号处理与电压转换电路阵列及电致发光薄膜阵列。本发明的背照式图像传感器通过在微透镜上设置电致发光薄膜,且电致发光薄膜外接可以放大光信号的信号处理与电压转换电路,可以在光线很微弱的条件下输出得到非常清晰的图像,使得所述图像传感器在光线较弱的暗环境下也可以正常使用,大大拓展了背照式图像传感器的使用范围;同时,本发明的背照式图像传感器不需要滤光片。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,所述背照式图像传感器至少包括:感光器件层、金属互连层、微透镜阵列、信号处理与电压转换电路阵列及电致发光薄膜阵列,其中,所述感光器件层内包括若干个相互间隔、且呈阵列分布的感光区域,所述感光区域包括相互隔离的第一感光区及第二感光区,所述第一感光区用于将接收的外部光信号转化成激发电信号,所述第二感光区用于将接收的所述电致发光薄膜阵列激发的光信号转化成图像输出信号;所述金属互连层位于所述感光器件层的下表面,所述金属互连层内包括若干个与所述感光区域一一上下对应设置的金属互连结构,各所述金属互连结构与与其相对应的所述感光区域电连接,用于将与其相对应的所述感光区域转化的激发电信号及图像输出信号输出;所述微透镜阵列包括若干个与所述感光区域一一上下对应设置的微透镜组件,所述微透镜组件包括第一微透镜及第二微透镜,所述第一微透镜位于所述第一感光区的上表面‑ ,用于将外部光信号聚焦至所述第一感光区,所述第二微透镜位于所述第二感光区的上表面,用于将所述电致发光薄膜阵列激发的光信号聚焦至所述第二感光区;所述信号处理与电压转换电路阵列包括若干个与所述金属互连结构一一对应连接的信号处理与电压转换电路,用于将与其对应连接的所述金属互连结构输出的激发电信号放大;所述电致发光薄膜阵列包括若干个电致发光薄膜,所述电致发光薄膜位于所述第二微透镜的上表面,且与所述信号处理与电压转换电路电连接,用于在所述信号处理与电压转换电路放大后的所述激发电信号的激发下发出包括蓝光、红光及绿光的光信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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