[发明专利]一种聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料、制备方法及其应用，制备方法为：采用乙二醇作为反应溶剂，加入聚乙烯吡咯烷酮，搅拌均匀后，通过油浴锅加热后加入硝酸银的乙二醇溶液和氯化钠溶液制备银纳米线材料。将银纳米线溶解于溴化钠溶液中并且加入铁片作为催化剂。最后再电沉积上一层聚吡咯，形成聚吡咯/银@溴化银核壳结构纳米线阵列。本发明制备方法产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制，生产成本低，重现性好。所制备出聚吡咯/银@溴化银核壳结构纳米线阵列可修饰在玻碳电极上直接作为光电检测的工作电极，这种光电传感器具有响应快，灵敏度高，并且对焦棓酸有很好的选择性。

主权项

1.一种聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：/n1）银纳米线的制备：将聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液搅拌10min以上，然后油浴加热至≥160℃保温时间不超过5min；再向其中逐滴加入现配的硝酸银的乙二醇溶液，等到溶液颜色变成亮黄色，立即加入NaCl 溶液，保温反应30min以上，整个过程都需要搅拌；/n冷却、产物洗涤、干燥后得银纳米线，其尺寸在100nm以下；/n2）银@溴化银核壳纳米线的制备：将步骤1）制备的银纳米线和铁块置于NaBr的溶液，反应后，洗涤、干燥，即制得银@溴化银核壳纳米线阵列；/n3）聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的制备：将步骤2）制备的银@溴化银核壳纳米线分散在N,N-二甲基甲酰胺中，然后滴在玻碳电极上，静置，干燥后电沉积聚吡咯薄膜；/n步骤1）中所述整个过程都需要搅拌，搅拌时转速控制在≤15 r/min；/n步骤2）所述反应是指室温下避光反应≥24h。/n