[发明专利]一种防止MOS管过载的保护电路有效
申请号: | 201711067439.6 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107770913B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 罗杰;鲁华祥;李文昌;王彦虎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | H05B45/50 | 分类号: | H05B45/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种防止MOS管过载的保护电路,其第一输入端用于输入第一电压,第二输入端用于输入基准电压;第一电压由零变为基准电压值所需时间为第一时间,保护电路具有预设导通时间,预设导通时间为第一时间的第一倍数;第一电压由零变为峰值电压所需时间为第二时间,第二时间为第一时间的第二倍数,当第二倍数小于第一倍数时,经过第二时间后输出端翻转,当第二倍数大于第一倍数时,经过预设导通时间后输出端翻转。 | ||
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【主权项】:
一种防止MOS管过载的保护电路,包括:第一输入端、第二输入端和输出端,所述第一输入端用于输入第一电压,所述第二输入端用于输入基准电压;所述第一电压由零变为基准电压值所需时间为第一时间,所述保护电路具有预设导通时间,所述预设导通时间为所述第一时间的第一倍数;所述第一电压由零变为峰值电压所需时间为第二时间,所述第二时间为所述第一时间的第二倍数,当第二倍数小于第一倍数时,经过第二时间后所述输出端翻转,当第二倍数大于第一倍数时,经过预设导通时间后所述输出端翻转。
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