[发明专利]一种背电极钼(Mo)薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711041023.7 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887456A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 周燕红 | 申请（专利权）人： | 周燕红 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背电极钼(Mo)薄膜的制备方法，在玻璃衬底上，利用Mo靶材采用磁控溅射法工艺制备Mo前驱体预制膜；对所述Mo前驱体预制膜，采用高温退火处理，制备背电极Mo薄膜层。本发明制备背电极Mo薄膜，一方面Mo薄膜与衬底的粘附性比较好，另一方面最上层的方块电阻比较小，同时减少了双层Mo薄膜之间的压强差使界面电阻减小，有利于制备的薄膜电池效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 mo 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背电极钼(Mo)薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在玻璃衬底上，利用Mo靶材采用磁控溅射法工艺制备Mo前驱体预制膜；对所述Mo前驱体预制膜，采用高温退火处理，制备背电极Mo薄膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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