[发明专利]一种高度密封的中空结构熔断器的制造方法及熔断器

摘要

本发明公开一种高度密封的中空结构熔断器制造方法，包括如下步骤：制作含端电极的盖板，在盖板远离端电极的一侧整片贴合固态粘合层并开凹槽，将熔体置于固态粘合层上，熔体置于凹槽及孔上，将两块分别作为上盖板及下盖板的远离端电极的一侧通过固态粘合层预贴合，相对设置的多个凹槽合围形成多个空腔；高温压合制成预成品，在端电极的位置切割预成品，导电化并电镀，分粒后制成熔断器；本发明还公开另外一种高度密封的中空结构熔断器的制造方法及由以上两种方法制得的高度密封的中空结构熔断器；本发明提供的高度密封的中空结构熔断器的制造方法，工艺简单，制得的产品粘结和密封强度高。

主权项

1.一种高度密封的中空结构熔断器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：制作盖板：取两块绝缘板，分别在两块所述绝缘板的一侧形成端电极，制成包括上盖板及下盖板的盖板；贴膜：在所述上盖板的远离所述端电极的一侧和/或所述下盖板的远离所述端电极的一侧整片贴合纯胶膜；开凹槽：在所述上盖板的远离所述端电极的一侧及所述下盖板的远离所述端电极的一侧通过机械的方式形成凹槽；装熔体：将熔体置于所述纯胶膜上，所述熔体的一部分置于所述凹槽上；贴合上、下盖板：将所述上盖板的远离所述端电极的一侧与所述下盖板的远离所述端电极的一侧通过所述纯胶膜预贴合；多个所述上盖板的所述凹槽与对应位置的所述下盖板的所述凹槽合围形成多个空腔，所述熔体的一部分置于在所述空腔中；压固上、下盖板：将所述上盖板及所述下盖板高温压合，制成预成品；切割：在所述端电极的位置切割所述预成品并切断所述熔体形成所述高度密封的中空结构熔断器的宽度方向的侧壁，在所述侧壁上通过活化设置侧面端电极，所述侧面端电极将所述上盖板的所述端电极、所述熔体及所述下盖板的所述端电极电连接；分粒：根据所述高度密封的中空结构熔断器的宽度方向的侧壁的位置切割所述预成品形成所述高度密封的中空结构熔断器的长度方向的侧壁，制成单个高度密封的中空结构熔断器；在所述切割步骤之前还包括打孔步骤，所述打孔步骤为：在所述上盖板的所述端电极处及所述下盖板的所述端电极处通过机械的方式形成贯穿所述上盖板及所述下盖板的孔；在所述切割步骤中，切割的位置位于所述孔的位置。