[发明专利]一种高Z向分辨力的一体化低功耗三轴磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201711023266.8 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107894576B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 胡佳飞;潘孟春;胡靖华;田武刚;杜青法;陈棣湘;李雨桐;潘龙;孙琨;李裴森;彭俊平;邱伟成 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 代理人: 谭武艺<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 410073 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种高Z向分辨力的一体化低功耗三轴磁场传感器,包括绝缘基底、变轨软磁块和四个磁测量单元,四个磁测量单元呈中心对称布置于绝缘基底的表面,变轨软磁块以四个磁测量单元的中心点为中心对称放置在四个磁测量单元上,每一个磁测量单元的一部分位于变轨软磁块的正下方。本发明针对现有方案存在的Z向分辨力不足、补偿效率低等问题,采用变轨软磁块和四个中心对称的磁测量单元实现Z向磁场的高效率变轨,能够实现三轴磁场的聚集放大和平面化测量,有效提高了三轴正交度以及Z向磁场的分辨力,能够实现微弱三轴磁场信号高分辨力测量、磁滞高效补偿,具有能耗低、成本低廉的优点。
搜索关键词: 一种 分辨力 一体化 功耗 磁场 传感器
【主权项】:
1.一种高Z向分辨力的一体化低功耗三轴磁场传感器,其特征在于:包括绝缘基底(1)、变轨软磁块(2)和四个磁测量单元(3),所述四个磁测量单元(3)呈中心对称布置于绝缘基底(1)的表面,所述变轨软磁块(2)以四个磁测量单元(3)的中心点为中心对称放置在四个磁测量单元(3)上,每一个磁测量单元(3)的一部分位于变轨软磁块(2)的正下方;所述磁测量单元(3)包括磁力线聚集器(31)、补偿线圈(32)和磁敏感单元(33),所述磁力线聚集器(31)为中部设有中轴(311)的环状结构,所述中轴(311)上设有间隙(312),所述补偿线圈(32)绕设在中轴(311)的间隙(312)两侧,所述磁敏感单元(33)为由两个敏感磁电阻(331)和两个参考磁电阻(332)组成的惠斯通电桥,所述两个敏感磁电阻(331)布置于绝缘基底(1)的间隙(312)内,所述两个参考磁电阻(332)位于磁力线聚集器(31)下方的磁场屏蔽区域内,所述补偿线圈(32)的两个驱动电极、磁敏感单元(33)的两个驱动电极以及输出电极均布置于绝缘基底(1)上。/n
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