[发明专利]一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201711020720.4 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107841785B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 郭道友;陈凯;樊寅翔;魏亚菊;吴超;时浩泽;王顺利;李培刚 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16;C30B29/66;B82Y30/00;B82Y40/00;C03C17/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 镓相结 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镓相结纳米柱阵列，其特征在于，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α‑Ga2O3和β‑Ga2O3构成相异质结构成。
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