[发明专利]电子器件有效
| 申请号： | 201711017329.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN108022621B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李基远 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李琳;王建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括半导体存储器的电子设备。所述半导体存储器包括：一个或多个电阻式储存单元；至少一个参考电阻块，其包括串联耦接的至少两个参考电阻晶体管；数据感测块，其适用于将从所述一个或多个电阻式储存单元之中选择的电阻式储存单元的电阻值与参考电阻块的电阻值相比较，并且感测选中的电阻式储存单元的数据；以及参考电阻调节块，其适用于通过调节参考电阻晶体管的栅极电压来调节参考电阻块的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括半导体存储器的电子设备，半导体存储器包括：一个或多个电阻式储存单元，每个电阻式储存单元被构建成为了储存数据而表现出不同的电阻值；参考电阻块，其包括串联耦接的至少一个第一参考电阻晶体管和至少一个第二参考电阻晶体管；数据感测块，其电耦接到所述一个或多个电阻式储存单元和参考电阻块，并且可操作为将从所述一个或多个电阻式储存单元之中选择的电阻式储存单元的电阻值与参考电阻块的参考电阻值相比较以确定储存在选中的电阻式储存单元中的数据；以及参考电阻调节块，其耦接到参考电阻块，并且可操作为将第一栅极电压提供给第一参考电阻晶体管和将第二栅极电压提供给第二参考电阻晶体管以及调节参考电阻块的电阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711017329.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
