[发明专利]一种用于射频中的低功耗基准电路

摘要

本发明公开了一种用于射频中的低功耗基准电路，包括一微电流产生电路，其核心是MOS管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一基准产生电路，采用共源共栅串联结构，产生的基准电压的精度非常高，受温度影响较小，总体电路的面积也非常小。

主权项

一种用于射频中的低功耗基准电路，包括：一微电流产生电路，其核心是MOS管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一基准产生电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，总体电路的面积也非常小；其特征在于：所述微电流产生电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第一PNP三极管Q1、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成，PM1管的源极和PM2管的源极都与电源电压VDD相连接，PM2的栅极与PM1的栅极、PM3的栅极、PM3的漏极、PM4的栅极、NM8的漏极相连接；PM2的漏极与PM4的源极相连接；PM1的漏极PM3的源极相连接；PM4的漏极与Q1的发射极、NM8的栅极相连接；NM8的源极与NM9的栅极、NM9的漏极相连接；Q1的基极、Q1的集电极、NM9的源极接地；所述基准产生电路由第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第一电阻R1构成；PM5管的源极、PM6管的源极、PM7管的源极、PM8管的源极都与电源电压VDD相连接；PM5管的栅极、PM6管的栅极、PM7管的栅极、PM8的栅极、PM9管的栅极、PM10管的栅极、PM11管的栅极、PM12的栅极与PM2管的栅极连接在一起；PM8的漏极与PM12的源极相连接；PM12的漏级与NM6的漏级、NM6的栅极、NM7的栅极相连接；NM6的源极与NM7的漏级、NM5的源极相连接；NM7的源极接地；PM7的漏极与PM11的源极相连接；PM11的漏级与NM4的漏级、NM4的栅极、NM5的栅极相连接；NM4的源极与NM5的漏级、NM3的源极相连接；PM6的漏极与PM10的源极相连接；PM10的漏级与NM2的栅极、NM2的漏级、NM3的栅极相连接；NM2的源极与NM3的漏级、NM1的源极相连接；PM5的漏极与PM9的源极相连接；PM9的漏级与电阻R1的一端相连接，其节点作为基准电压VREF的输出端；电阻R1的另一端与NM1的栅极、NM1的漏级相连接。