[发明专利]基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法有效
| 申请号： | 201711014546.2 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107861554B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 肖筱 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法，确保较低电源供电时，不影响带隙基准电路的正常工作，应用于较宽电源范围。电路包括连接的带隙基准电路和启动电路；启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成。该启动方法，齐纳二极管D1的击穿电压BV与三极管Q1、Q4和Q16的BE结电压之差在电阻R2和R3上可以产生与电源电压无关的具有一定温度系数的电流，该电路通过R6、Q6管和Q7管产生与此电流成相反温度系数的补偿电流，两股电流流经Q13管后形成了最终的具有温度补偿特性的基准电流，通过Q14管的镜像作用从Q15管的集电极流出，提供给其他电路模块使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 辐照 工艺 用于 电源 范围 基准 启动 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路，其特征在于，包括连接的带隙基准电路和启动电路两个单元；所述启动电路由齐纳二极管D1、电阻R1、第一双极晶体管组和第二双极晶体管组组成，齐纳二极管D1一端与正电源电压AVDD相连，另一端与第二双极晶体管组的基极和集电极以及电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与负电源电压NAVDD相连；第一双极晶体管组的发射极连接至带隙基准电路，其基极和集电极均与第二双极晶体管组的发射极相连。
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