[发明专利]通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法有效
| 申请号： | 201710984186.2 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107990918B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;段晓爽;罗姜姜;姚艳波 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01D5/16 | 分类号： | G01D5/16 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，包括以下步骤：在基体上形成若干个基本结构单元，并将若干个基本结构单元与基本结构单元堆砌组装形成具有网络结构的一级基本几何单元，并形成位于相邻基本几何单元之间的一级接触连接区；将若干个所述一级基本几何单元通过阵列堆积组合形成二级几何结构，并形成位于相邻一级基本几何单元之间的二级接触连接区；步骤三、在基体上至少两处点导电胶胶从而形成压阻式传感器的电极，获得压阻传感器。本发明方法获得的高敏感度压阻式传感器具有设计灵活、制作简便，与现有各种传感器制作方法结合良好，具有普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 多级 结构设计 制备 敏感度 压阻式 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在基体上形成若干个基本结构单元，并将若干个基本结构单元与基本结构单元堆砌组装形成具有网络结构的一级基本几何单元，并形成位于相邻基本几何单元之间的一级接触连接区，所述一级接触连接区连接的强弱和数量通过一级基本几何单元中基本结构单元的排列数量和排列方式调节；步骤二、将若干个所述一级基本几何单元通过阵列堆积组合形成二级几何结构，并形成位于相邻一级基本几何单元之间的二级接触连接区，所述一级接触连接区连接的强弱和数量通过二级几何结构中一级基本几何单元的排列数量和排列方式调节；步骤三、在基体上至少两处点导电胶从而形成压阻式传感器的电极，获得压阻传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710984186.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种装饰型材及采用该型材组装的装饰构件
- 下一篇：一种铝合金保温窗
