[发明专利]一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率、品质的方法有效
| 申请号： | 201710979013.1 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107815663B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李贺楠;时玉萌;李捷妮 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 44248 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于材料技术领域，特别涉及一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率的方法。首先将MO | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理 前驱物 过渡金属硫族化合物 预处理 材料技术领域 热处理 二维材料 气氛环境 退火处理 稳定供给 制备单层 氢气 高品质 氧缺陷 产率 单层 二维 价态 制备 | ||
【主权项】：
1.一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率、品质的方法，其特征在于，包括：/n首先，将MO
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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