[发明专利]改良式太阳能发电装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710952617.7 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109671800A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈柏颕;陈俋瑾;陈俋锡;王韡勋;王*頥 | 申请（专利权）人： | 陈柏颕 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 武君 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改良式太阳能发电装置的制造方法，包含一半导体材料制备步骤，及一模组结合步骤。首先执行该半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模组，及一P型半导体材料模组。接着执行该模组结合步骤，将该N型半导体材料模组及该P型半导体材料模组组合在一起，并于N型半导体材料模组之表面制造多个孔洞结构，每一孔洞结构内填入具有导电与催化效果的填充体，接着再制作一N电极及一P电极，最后在N型半导体材料模组表面覆加聚光材料，如此可以形成改良式太阳能发电装置。 | ||
| 搜索关键词： | 模组 太阳能发电装置 改良式 制备 半导体材料 孔洞结构 模组结合 制造 催化效果 模组表面 模组组合 光材料 填充体 导电 加聚 填入 制作 | ||
【主权项】：
1.一种改良式太阳能发电装置的制造方法，包含下列步骤：一半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模组，及一P型半导体材料模组；及一模组结合步骤，将该N型半导体材料模组及该P型半导体材料模组组合在一起，以形成一发电单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈柏颕，未经陈柏颕许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710952617.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：漂移探测器及其制作方法
- 下一篇：超薄超平晶片基板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
