[发明专利]基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源有效
| 申请号： | 201710947588.5 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107861553B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高静;丁英光;徐江涛;史再峰;聂凯明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及模拟集成电路设计领域，为消除由于辐射引起的器件失配与运放输入端失调电压的影响，提高基准电压源的精度。本发明，基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源，由3个PMOS管P1，P2，P3，三个电阻R1，R2，R3，一个斩波调制开关以及一个斩波运算放大器组成；P1，P2管的栅源与地相接，P1的漏端接斩波调制开关的in1端，斩波调制开关的out1端接A点，A点接斩波运算放大器的正端，电阻R2接A点和基准电压输出Vref之间；P2管的漏端接斩波调制开关的in2端，斩波调制开关的out2端接B点，而且B点接斩波运算放大器的负端。本发明主要应用于模拟集成电路设计场合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 调制 技术 辐射 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源，其特征是，由3个PMOS管P1，P2，P3，三个电阻R1，R2，R3，一个斩波调制开关以及一个斩波运算放大器组成；P1，P2管的栅源与地相接，P1的漏端接斩波调制开关的in1端，斩波调制开关的out1端接A点，A点接斩波运算放大器的正端，电阻R2接A点和基准电压输出Vref之间；P2管的漏端接斩波调制开关的in2端，斩波调制开关的out2端接B点，而且B点接斩波运算放大器的负端，电阻R3接B点与基准电压输出Vref之间，P3管的源端接电压源，漏端接基准电压输出Vref，P3管的栅端接斩波运算放大器的输出。
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