[发明专利]一种提升三层忆阻器写性能的编解码方法有效
| 申请号： | 201710945046.4 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107622781B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 童薇;冯丹;刘景宁;徐洁;李春艳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升三层忆阻器写性能的编解码方法，属于数据编解码技术领域。本发明编码方法包括：将写入的缓存行数据使用FPC压缩算法进行压缩；再根据压缩以后的缓存行数据大小计算压缩率；之后根据缓存行数据的压缩率选择IDM编码方式进行编码；最后将IDM编码后的数据写入到TLC RRAM单元中。本发明解码方法包括：从TLC RRAM单元中读出IDM标志单元、压缩标志位和缓存行数据；再根据IDM编码标志单元确定IDM解码的方式进行解码；最后根据压缩标志位对缓存行数据执行解压缩，最终得到8个解压缩的字，组合在一起即为解压缩以后的缓存行数据。本发明方法将FPC压缩技术和IDM编码结合在一起，很好的提升TLC RRAM的写性能，同时该方法的解码延迟及开销都很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 三层 忆阻器写 性能 解码 方法 | ||
【主权项】：
一种提升三层忆阻器写性能的编解码方法，其特征在于，所述编码方法包括：(1)将写入的缓存行数据使用压缩算法进行压缩；(2)根据压缩以后的缓存行数据大小计算压缩率；(3)若压缩率小于压缩阈值，则不对数据进行IDM编码，否则根据具体的压缩率确定数据使用IDM编码的方式；(4)将使用IDM编码后的数据或没有使用IDM编码的数据写入到TLC RRAM单元中。
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