[发明专利]一种基于田口设计的高密度键合丝冲击触碰风险评估方法有效
| 申请号： | 201710938167.6 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107590350B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 付桂翠;冷红艳;姜贸公;李颜若玥 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F111/10;G06F119/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于田口设计的高密度键合丝冲击触碰风险评估方法，包含以下步骤：步骤一：键合丝偏转位移影响因素分析；步骤二：确定建模参数；步骤三：键合丝结构仿真建模；步骤四：结构模型简化；步骤五：冲击振动仿真分析；步骤六：利用田口分析确定影响因素的重要度排序；步骤七：触碰风险分析；步骤八：键合丝设计改进。本发明基于田口设计的理论，从高密度封装集成电路实际使用中可能存在的跌落等冲击条件，导致键合丝横向偏转而发生触碰短路的问题入手，通过仿真和田口分析对影响因素重要度进行排序，并建立键合丝触碰风险系数模型，评估键合丝发生触碰的风险。此方法属于高密度封装集成电路可靠性风险评估技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 设计 高密度 键合丝 冲击 风险 评估 方法 | ||
【主权项】：
一种基于田口设计的高密度键合丝冲击触碰风险评估方法，其特征在于：基于田口设计的理论，从高密度封装集成电路实际使用环境中可能存在的跌落等冲击条件，导致的键合丝横向偏转而发生触碰短路的问题入手，从材料力学的角度对键合丝结构进行分析，得到影响键合丝横向偏转位移的因素。通过仿真分析对影响因素的重要度进行排序，并建立键合丝触碰风险系数，评价键合丝发生触碰的风险大小。该方法具体步骤如下：步骤一：键合丝偏转位移影响因素分析步骤二：确定建模参数步骤三：键合丝结构仿真建模步骤四：结构模型简化步骤五：冲击振动仿真分析步骤六：利用田口分析确定影响因素的重要度排序步骤七：触碰风险分析步骤八：键合丝设计改进利用步骤八获得的键合丝偏转位移模型及触碰风险系数，得到高密度封装集成电路在受到机械冲击时发生触碰短路的风险大小，可以提前进行设计优化降低风险。键合丝偏转位移模型：δ={[-0.4306+3.6392(H′L)](H3EI)+[0.0004(H′L)](L3GJ)}×(S×F)]]>触碰风险系数：μ=2δd]]>
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