[发明专利]一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710924004.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107652465A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘岚;王萍萍;陈松;巫运辉;刘书奇;刘海州;董旭初;彭健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C08J9/42 | 分类号： | C08J9/42;C08J9/40;C08L61/28;C08L63/00;C08L75/04;C08K7/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法。具体制备方法如下将三维多孔材料浸渍在银纳米线分散液中，取出，干燥，组装形成三维银纳米线导电网络；将形状记忆高分子基体材料通过真空浇铸与导电网络混合，再经过高温固化，得到低压驱动电致形状记忆复合材料。该方法通过简单有效的工艺使得导电填料在高分子基体材料中能更有效地分散，制备的低压驱动电致形状记忆复合材料克服了因材料内部导电填料分散程度低或网络结构不稳定而整体导电性不佳导致的驱动电压较高、回复速度较慢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 驱动 形状 记忆 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将三维多孔材料浸渍于银纳米线分散液中，取出，干燥，组装形成三维银纳米线导电网络；（2）将形状记忆高分子基体材料通过真空浇铸与三维银纳米线导电网络混合，再经过高温固化，得到低压驱动电致形状记忆复合材料。
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