[发明专利]一种基于T形对和纳米线对的光学传感器有效
| 申请号： | 201710907474.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108872151B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王俊俏;高念;张佳;袁栋栋;吴亚南 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;B82Y15/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于T形对和纳米线对的光学传感器，包括电介质层、金属纳米结构和基底，金属纳米结构为二聚体结构，金属纳米结构包括设置于基底上的线型金属纳米对和位于线型金属纳米对之间的T型金属纳米对，各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离与两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等，所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等，T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等，T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。该结构简单，制备工艺要求难度大大降低，有很好的传感效果，而且该结构的光学传感器可以容易提高传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 光学 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于T形对和纳米线对的光学传感器，包括由上至下依次设置的电介质层、金属纳米结构和基底，其特征在于：金属纳米结构为二聚体结构，金属纳米结构包括设置于基底的上表面上的线型金属纳米对，线型金属纳米对包括平行间隔设置的沿纵向延伸的线型金属纳米线，金属纳米结构还包括于线型金属纳米线之间相对设置于基底的上表面上的T型金属纳米对，T型金属纳米对包括纵边相对间隔设置、横边平行设置的T型金属纳米线，各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离和两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等，所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等，T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等，T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。
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