[发明专利]薄膜电阻结构在审
| 申请号： | 201710906615.4 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585412A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 廖嘉郁;赵裕荧 | 申请（专利权）人： | 廖嘉郁;立佳有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜电阻结构，包含一导电层及于该导电层的一表面上沉积一氧化铟锡层，该导电层表面蚀刻至少一裸露至该氧化铟锡层的第一蚀刻间距，该第一蚀刻间距与该氧化铟锡层所形成的角度为90°～120°，该薄膜电阻可调控的电阻值介于5Ω/□～375Ω/□之间；藉由上述结构，能达到薄膜电阻结构的表面均匀性高、稳定性高、结晶致密度及电阻调控度都有更加优异的控制，有助于低阶产品的提升和高阶产品的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电阻 蚀刻 氧化铟锡层 导电层 电阻 表面均匀性 导电层表面 可调控 低阶 高阶 沉积 裸露 调控 应用 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻结构，其特征在于包括：一薄膜电阻，包含一导电层及于该导电层的其中一表面上沉积一氧化铟锡层，该导电层表面蚀刻至少一裸露至该氧化铟锡层的第一蚀刻间距，该第一蚀刻间距与该氧化铟锡层所形成的角度为90°～120°，该薄膜电阻可调控的电阻值系介于5Ω/□～375Ω/□之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于廖嘉郁;立佳有限公司，未经廖嘉郁;立佳有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710906615.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
