[发明专利]用于OLED应用的PECVD HMDSO膜的等离子体固化有效

专利信息
申请号: 201710897728.2 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN107482137B 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: J·J·陈;崔寿永 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;C23C16/40;C23C16/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于OLED应用的PECVD HMDSO膜的等离子体固化。本发明描述了一种用于形成OLED器件的方法。具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积在OLED结构上。所述缓冲层沉积在第一阻挡层上,并在低于100摄氏度的温度下利用含氟等离子体进行固化。接着,所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。
搜索关键词: 用于 oled 应用 pecvdhmdso 等离子体 固化
【主权项】:
1.一种用于形成有机发光二极管(OLED)器件的方法,所述方法包括:将第一阻挡层沉积在基板的区域上,所述区域上设置有OLED结构;将缓冲层沉积在所述第一阻挡层上;利用含氟等离子体将所述缓冲层固化;以及将第二阻挡层沉积在所述固化的缓冲层上。
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