[发明专利]兰姆波谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710893347.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560784B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 艾玉杰;杨帅;张韵;孙莉莉;程哲;张连;贾丽芳;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 兰姆波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种兰姆波谐振器，包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在所述底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；所述衬底在正对所述底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的所述底电极层处于悬空状态；所述叉指电极位于所述底电极层的正上方。
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