[发明专利]一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法

摘要

本发明公开了一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法，此方法通过控制黑硅工艺中对硅片进行碱抛光处理的碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量来控制硅片在此溶液中的反应程度，达到降低多晶硅片各晶向间绒面差异的目的,所制得的硅片在经PECVD沉积氮化硅后表面具有常规多晶电池的颜色一致性。所述工艺方法由下列步骤组成：第一步：碱抛光；第二步：正常湿法黑硅制绒。此方法的碱抛光槽体可以定量补加化学品、水，可以定量排放溶液；此方法通过控制碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量解决黑硅电池各晶向差异大的问题。此方法工艺简单，效果明显，SEM测量碱抛光后的各晶向绒面大小，对比常规工艺标准偏差明显降低，且制得的电池的表面颜色一致。

主权项

1.一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法，其特征为：由下列步骤组成：（1）碱抛光：第1步：在可定量补加化学品、水的耐酸碱槽体内配置浓度为9‑11% 的KOH 溶液及用于控制反应速度的添加剂A；第2步：将该溶液加热到75‑80℃ ；第3步：将多晶硅片浸入此溶液中反应190‑230s；第4步：将浸泡后的硅片取出，后对药液补加0.4‑0.6%体积的KOH溶液，0.04‑0.06%体积的添加剂A，及1‑2%体积的水，每经过8‑12批排放4‑6%体积的药液；（2）正常湿法黑硅制绒：第1步：在湿法黑硅机内采用0.6‑1%的HF及含有超低银离子的添加剂B混合溶液内，在硅片表面沉积银粒子，时间为110‑150s ；第2 步：在湿法黑硅机内采用0.3‑0.7%的HF、8‑12%的H₂O₂、用于加速脱泡的添加剂C及用于抑制反应速度的添加剂D混合溶液内利用金属辅助化学腐蚀原理在硅片表面进行挖孔，时间为200‑260s，制作形成的孔洞深度为500‑650nm；第3 步：利用含有3‑5%的NH₃·H₂O及4‑7%的H₂O₂的混合溶液内对沉积的银粒子进行去除，时间为200‑300s；第4 步：利用常规的酸制绒原理对形成的深孔洞进行扩大，优化绒面结构，最终在硅片表面形成深度为480‑630nm的孔径为600‑700nm的圆洞形绒面，扩孔时间为 100‑200s。