[发明专利]一种光耦合结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710867704.2 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN109541754A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 张冶金;徐洋;王庆飞;田林岩;潘教青 申请(专利权)人: 北京万集科技股份有限公司
主分类号: G02B6/34 分类号: G02B6/34;G02B6/26
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹;李相雨
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种光耦合结构及其制造方法。其中,所述光耦合结构包括:斜面光纤和硅基光栅单元,所述斜面光纤设置在所述硅基光栅单元的上表面,所述斜面光纤包括倾斜端面,所述倾斜端面与所述硅基光栅单元的上表面呈预设角度,所述硅基光栅单元包括硅基光栅和硅基输出波导,所述硅基输出波导为耦合波导结构;其中,在所述倾斜端面上设置多层薄膜结构,所述多层薄膜结构用于对所述斜面光纤中的激光束进行全反射,经过全反射的所述激光束照射到所述硅基光栅,并通过所述硅基输出波导耦合输出。本发明提供的光耦合结构及其制造方法,提高了光耦合效率。
搜索关键词: 硅基 光耦合结构 光栅单元 输出波导 光纤 多层薄膜结构 光栅 倾斜端面 全反射 上表面 耦合波导结构 制造 光耦合效率 激光束照射 耦合输出 激光束 倾斜端 预设
【主权项】:
1.一种光耦合结构,其特征在于,包括:斜面光纤和硅基光栅单元,所述斜面光纤设置在所述硅基光栅单元的上表面,所述斜面光纤包括倾斜端面,所述倾斜端面与所述硅基光栅单元的上表面呈预设角度,所述硅基光栅单元包括硅基光栅和硅基输出波导,所述硅基输出波导为耦合波导结构;其中,在所述倾斜端面上设置多层薄膜结构,所述多层薄膜结构用于对所述斜面光纤中的激光束进行全反射,经过全反射的所述激光束照射到所述硅基光栅,并通过所述硅基输出波导耦合输出。
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