[发明专利]一种红外焦平面探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710825905.6 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509809B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 白谢晖 | 申请（专利权）人： | 浙江英孚莱德光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人： | 冯德魁 |
| 地址： | 311512 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种红外焦平面探测器的制造方法，包括：提供形成有包含红外焦平面探测器芯片的锑化铟晶片，所述红外焦平面探测器芯片包含有复数个红外探测单元；在所述锑化铟晶片上，且所述红外焦平面探测器芯片有源区与相邻红外焦平面探测器芯片划片区之间区域形成隔离槽；在所述红外焦平面探测器芯片的红外探测单元上形成倒装连接结构；通过划片工艺将所述锑化铟晶片上的红外焦平面探测器芯片切割分离；将通过所述划片工艺获得的红外焦平面探测器芯片通过倒装连接结构与读出电路倒装互连。本申请方法可提高探测器在生产过程中的成品率和提高探测器的可靠性。本申请还提供一种半导体结构及红外焦平面探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 平面 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外焦平面探测器的制造方法，其特征在于包括：提供形成有包含红外焦平面探测器芯片的锑化铟晶片，所述红外焦平面探测器芯片包含有复数个红外探测单元；在所述锑化铟晶片上，且所述红外焦平面探测器芯片有源区与相邻红外焦平面探测器芯片划片区之间区域形成隔离槽；在所述红外焦平面探测器芯片的红外探测单元上形成倒装连接结构；通过划片工艺将所述锑化铟晶片上的红外焦平面探测器芯片切割分离；将通过所述划片工艺获得的红外焦平面探测器芯片通过倒装连接结构与读出电路倒装互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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