[发明专利]软性抗氧化铜丝的制备方法在审
申请号: | 201710813496.8 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107546133A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 邵光伟 | 申请(专利权)人: | 佛山慧创正元新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连围 |
地址: | 528000 广东省佛山市禅城区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了软性抗氧化铜丝的制备方法,该工艺利用真空感应熔炼炉进行复合铜液的炼制,将铜液铸模,经过液氮急速冷却、粗拔、退火、酸液浸泡、细拔拉丝、氢气保护热定型等工艺步骤得到软性抗氧化铜丝。制备而成的软性抗氧化铜丝,其导电性能强、拉伸性能强、弹性佳,具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 软性 氧化 铜丝 制备 方法 | ||
【主权项】:
软性抗氧化铜丝的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将电解铜10‑20份、聚乙烯1‑3份、聚碳酸酯1‑2份、镁粉2‑4份、镍粉1‑3份、二甲基硅油2份混合,加入真空感应熔炼炉中进行辊炼,加热至1300‑1400℃后抽真空,炉内保持搅拌,持续反应2h,降温至350℃后充入氩气,保持压强为5MPa,保温60min;(2)将步骤(1)的复合铜液注入铸模中,同时急速冷却,形成合金铸件;(3)将步骤(2)的合金铸件进行粗拔以制得直径为3‑4mm的铜丝后,对该铜丝进行退火,退火温度大约为450‑500℃,退火时间大约为15‑20分钟,退火后进行水冷;(4)将步骤(3)所得粗拔铜丝浸泡在质量百分比浓度为10%的HCl水溶液约5分钟,然后用按质量配比为3:1:9的Cr2O3:H2SO4:H2O的溶液浸泡3分钟;(5)将步骤(4)得到的铜丝用去离子水清洗三遍,自然晾干;(6)将步骤(5)的铜丝置于拉丝机中进行细拔拉丝,得到直径为1‑2mm的铜丝;(7)将步骤(6)的铜丝放入筒式氢气保护热处理炉里在200℃,2小时的条件下进行定型热处理,随炉自然冷却,待冷却到室温后,关闭氢气,即得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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