[发明专利]一种针对产品量测区域缺陷监控的方法有效
| 申请号： | 201710797272.2 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107437514B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种针对产品量测区域缺陷监控的方法，包括：针对量测站点所选择的量测区域，将该区域设置为缺陷检测区域；根据该站点量测过程需要在芯片所选取的量测样本，缺陷检测程式将其所有的量测样本作为缺陷检测样本；重复对关键制成的每一步量测分别定义不同量测区域作为缺陷检测区域，并且定义需要量测的样本作为缺陷检测样本；定义缺陷检测程式中各缺陷检测样本进行对比的顺序安排；设定所有站点针对量测区域缺陷检测程式的灵敏度，完成各量测区域缺陷检测程式；在芯片完成制成到量测制成之前进行缺陷检测，发现量测区域是否存在异常。本发明用来监控产品的所有量测区域的缺陷状况，进而快速发现量测区域的缺陷异常，提高生产工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 产品 区域 缺陷 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对产品量测区域缺陷监控的方法，其特征在于，包括下列步骤：/n步骤一：针对量测站点所选择的量测区域，将该区域设置为缺陷检测区域；/n步骤二：根据该站点量测过程需要在芯片所选取的量测样本，缺陷检测程式将其所有的量测样本作为缺陷检测样本；/n步骤三：重复步骤一和步骤二对关键制成的每一步量测分别定义不同量测区域作为缺陷检测区域，并且定义需要量测的样本作为缺陷检测样本；/n步骤四：定义缺陷检测程式中各缺陷检测样本进行对比的顺序安排；/n步骤五：设定所有站点针对量测区域缺陷检测程式的灵敏度，完成各量测区域缺陷检测程式；/n其中，所述量测区域为单元芯片之间分界区域上面的量测区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710797272.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：定位方法、终端和服务器
- 下一篇：数字中继器系统中的波峰因数优化
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
