[发明专利]一种MWT电池及其制备方法有效
申请号: | 201710794638.0 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107564988B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王燕;赵燕;吴俊桃;陈伟;陈全胜;刘尧平;徐鑫;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 北京普扬科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中和立达知识产权代理事务所(普通合伙) 11756 | 代理人: | 张攀 |
地址: | 100190 北京市平谷区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种P型(或N型)多晶硅衬底的MWT电池及其制备方法。将多晶太阳能电池硅片利用激光开孔;将所述硅片进行清洗制绒获得倒四棱锥绒面,所得硅片的表面随机分布倒四棱锥绒面;对上述硅片进行热扩散制备PN结并去除磷硅玻璃(或硼硅玻璃),表面沉积SiNx减反射膜;随后,在上述硅片的激光开孔的空洞处填充浆料并印刷背电极,对上述硅片的正面进行Ag栅线印刷,背面进行Al背场印刷,并烧结烘干;对上述硅片进行激光划线隔离,避免短路,得到本发明的MWT电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种MWT电池,其包括多晶硅片衬底、SiNx减反射膜、背电极、Ag栅线,所述多晶硅片衬底表面随机分布倒四棱锥组,所述多晶硅片衬底的倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥,在多晶硅片衬底上通过热扩散形成P‑N结,表面沉积SiNx减反射膜,填充浆料并印刷背电极,随后在多晶硅片衬底的正面进行Ag栅线印刷,背面进行Al背场印刷,烧结烘干后得到MWT电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的