[发明专利]一种MWT电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710794638.0 申请日: 2017-09-05
公开(公告)号: CN107564988B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 王燕;赵燕;吴俊桃;陈伟;陈全胜;刘尧平;徐鑫;杜小龙 申请(专利权)人: 北京普扬科技有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 北京中和立达知识产权代理事务所(普通合伙) 11756 代理人: 张攀
地址: 100190 北京市平谷区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种P型(或N型)多晶硅衬底的MWT电池及其制备方法。将多晶太阳能电池硅片利用激光开孔;将所述硅片进行清洗制绒获得倒四棱锥绒面,所得硅片的表面随机分布倒四棱锥绒面;对上述硅片进行热扩散制备PN结并去除磷硅玻璃(或硼硅玻璃),表面沉积SiNx减反射膜;随后,在上述硅片的激光开孔的空洞处填充浆料并印刷背电极,对上述硅片的正面进行Ag栅线印刷,背面进行Al背场印刷,并烧结烘干;对上述硅片进行激光划线隔离,避免短路,得到本发明的MWT电池。
搜索关键词: 一种 mwt 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种MWT电池,其包括多晶硅片衬底、SiNx减反射膜、背电极、Ag栅线,所述多晶硅片衬底表面随机分布倒四棱锥组,所述多晶硅片衬底的倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥,在多晶硅片衬底上通过热扩散形成P‑N结,表面沉积SiNx减反射膜,填充浆料并印刷背电极,随后在多晶硅片衬底的正面进行Ag栅线印刷,背面进行Al背场印刷,烧结烘干后得到MWT电池。
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