[发明专利]一种MWT电池及其制备方法有效
申请号: | 201710794638.0 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107564988B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王燕;赵燕;吴俊桃;陈伟;陈全胜;刘尧平;徐鑫;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 北京普扬科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中和立达知识产权代理事务所(普通合伙) 11756 | 代理人: | 张攀 |
地址: | 100190 北京市平谷区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 电池 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种P型(或N型)多晶硅衬底的MWT电池及其制备方法。将多晶太阳能电池硅片利用激光开孔;将所述硅片进行清洗制绒获得倒四棱锥绒面,所得硅片的表面随机分布倒四棱锥绒面;对上述硅片进行热扩散制备PN结并去除磷硅玻璃(或硼硅玻璃),表面沉积SiNx减反射膜;随后,在上述硅片的激光开孔的空洞处填充浆料并印刷背电极,对上述硅片的正面进行Ag栅线印刷,背面进行Al背场印刷,并烧结烘干;对上述硅片进行激光划线隔离,避免短路,得到本发明的MWT电池。
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制备方法,特别涉及MWT电池及其制备方法。
背景技术
现今世界,能源危机是人类社会发展面临的重要问题。太阳电池产业作为解决能源危机的重要手段之一,受到普遍重视。而发展太阳电池产业,首要解决的问题就是要降低太阳电池的使用成本,其中提高太阳电池的转换效率是降低成本的主要手段,提高太阳电池转换效率也是长期以来人们一直努力解决的问题。
MWT电池属于背接触电池中的前结电池,所谓的前结电池就是发射区位于电池的正面,这样的结构有利于收集更多的载流子。MWT电池基本消除了正面栅线电极的遮光损失,更充分地利用了光照,提高了电池效率;同时还可以将电池的两极从背面引出,既降低了封装难度又简化了制作工艺,使电池更美观。
为进一步提高MWT硅太阳电池的转换效率,必须对MWT硅太阳电池的结构参数和工艺条件进行精细的设计和优化。MWT电池的制备工艺涉及激光打孔、制绒、扩散、钝化和表面电极制备等,每一步可以说对于MWT电池的最终性能都有着不可预知的影响。德国弗朗霍夫研究所已经制备出了转换效率为17.1%的MWT电池,还有荷兰的能源研究中心研究的多晶MWT电池,其效率也达到了17%。国内对于MWT电池的制备工艺也进行了广泛的研究。
CN201210043202.5公开了一种MWT太阳能电池电极的制备方法,包括对晶体硅片进行前工序处理制成具有导电通孔的MWT型太阳电池用晶体硅片,还含以下步骤:
(1)选取MWT前工序完成的晶体硅片,在晶体硅片的背光面印刷上正电极主栅线和负电极主栅线;
(2)在背光面印刷上背场,使背场与正电极主栅线相连,形成正电极,并使背场与负电极不相连;
(3)在晶体硅片受光面印刷上细栅线,使细栅线与导电通孔相连接,同时将负电极主栅线与导电通孔相连接,形成负电极;
(4)将晶体硅片烧结后形成电池电极金属化,制成MWT太阳能电池电极。
CN201210088528.X公开一种晶硅太阳能MWT电池制作方法,含有以下步骤,首先在裸硅片上进行八字形分布激光打孔,而后进行电池片工艺:制绒、扩散、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、激光隔离;丝印段步骤为:①同时印刷背面正电极和背面负电极;②印刷背电场;③同时印刷正面栅线和正面填孔栅线。
CN201210427416.2公开一种MWT电池的制造方法,包括以下步骤:
在一硅片上对称地进行打孔,以获得在所述硅片上对称分布的多个通孔;
在所述硅片上实施扩散工艺;
根据所述多个通孔,在经扩散的硅片表面上进行划线,以将所述硅片划分成多个子电池,以使所述多个子电池中的每一个都包括一个通孔;
在所述硅片的正面印刷正面电极;
在所述硅片的背面印刷铝背场;
在所述硅片的背面印刷连接电极,以使所述多个子电池之间彼此纵向串联且横向彼此并联,
其中所述正面电极和所述连接电极经由所述通孔导通。
CN201310213029.3公开一种MWT太阳能电池制备方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普扬科技有限公司,未经北京普扬科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710794638.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种应用于叠片组件的焊带结构
- 下一篇:一种新型真空自耗炉
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的