[发明专利]纳晶镍的热电性能调控方法有效
申请号: | 201710777165.3 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107579149B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 刘英光 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学(保定) |
主分类号: | H01L35/20 | 分类号: | H01L35/20;H01L35/34 |
代理公司: | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人: | 霍如肖 |
地址: | 071003 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳晶镍的热电性能调控方法,包括:A.在铜箔上沉积一层厚度为5~15 nm的氧化锆薄膜,敲击氧化锆薄膜层,使氧化锆薄膜呈玻璃态;B.在氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55 nm的纳晶镍层;C.蚀刻铜箔,使得铜箔层的厚度减薄到1000~3000 nm,获得包括铜箔层、纳晶镍层与氧化锆薄膜层的复合层结构;D.重复步骤A、B和C,获得多张复合层结构;沿同一方向,叠合各张复合层结构,获得包括多层纳晶镍层的膜结构;其中,通过控制铜箔层的减薄厚度,来控制各张复合层结构的热电性能。该制备方法,工艺简单,铜的导电率高,能够获得高的电导率,铜的熔点温度较低,便于多张复合层结构的压合,通过控制铜箔层的减薄厚度,能够实现薄膜型纳晶镍的热电性能的调控。 | ||
搜索关键词: | 纳晶镍 热电 性能 调控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳晶镍的热电性能调控方法,其特征在于,包括:步骤A.在铜箔上沉积一层厚度为5~15nm的氧化锆薄膜,采用表面为纳米结构的敲击锤敲击所述氧化锆薄膜层,使所述氧化锆薄膜呈玻璃态;步骤B.在所述氧化锆薄膜上沉积厚度为5~55nm的纳晶镍层;步骤C.蚀刻所述铜箔,使得铜箔层的厚度减薄到1000~3000nm,获得包括铜箔层、纳晶镍层与氧化锆薄膜层的复合层结构;步骤D.重复步骤A、B和C,获得多张复合层结构;沿同一方向,叠合各张所述复合层结构,获得包括多层纳晶镍层的膜结构;其中,通过控制铜箔层的减薄厚度,来控制各张复合层结构的热电性能。
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