[发明专利]一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法。所述的多层掩膜为一种具有翼缘式横截面的光致抗蚀剂多层掩膜。该掩膜的制作工艺在注入阻挡层上制备一层牺牲过渡层介质膜，然后在该过渡介质膜上制作图形化的光致抗蚀剂掩膜。采用湿法腐蚀或湿法腐蚀辅助的等离子体干法刻蚀，以光致抗蚀剂图形为掩膜，腐蚀牺牲过渡层，通过控制腐蚀速率和时间，使牺牲过渡层图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜缩进固定宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜。本发明的复合掩膜可以避免高能离子轰击下光致抗蚀剂掩膜边缘变性所导致的去胶困难，常规的去胶液浸泡即可完全去除光致抗蚀剂掩膜，避免了擦拭芯片表面带来的机械损伤，提高了芯片的表面质量。

主权项

1.一种易去胶的高能离子注入多层掩膜的制备方法，所述的多层掩膜结构为：底层为注入阻挡层(1)，中部为牺牲过渡层(2)，顶部为图形化的光致抗蚀剂掩膜层(3)，其特征在于：所述的多层掩膜的制备方法包括如下步骤：1)在衬底上沉积一层注入阻挡层(1)薄膜，然后再沉积一层牺牲过渡层(2)薄膜，牺牲过渡层(2)的厚度≤注入区外扩误差限/tan(离子入射角度)；牺牲过渡层(2)的腐蚀剂不腐蚀注入阻挡层(1)或对注入阻挡层(1)的腐蚀速率远小于牺牲过渡层(2)，即对注入阻挡层(1)的腐蚀速率＜牺牲过渡层腐蚀速率/100；2)将已沉积注入阻挡层(1)和牺牲过渡层(2)的芯片清洗干净并烘干，在芯片表面旋转涂覆光致抗蚀剂，并对芯片进行选择性曝光和显影，定义出注入区的光致抗蚀剂掩膜层(3)；3)采用湿法腐蚀法或湿法腐蚀辅助的干法刻蚀法，以光致抗蚀剂注入区图形为刻蚀掩膜，去除注入区内的牺牲过渡层(2)，并通过控制腐蚀速率和时间，利用湿法横向过腐蚀，使牺牲过渡层(2)腐蚀图形边缘相对于光致抗蚀剂掩膜(3)边缘缩进0.5～3微米宽度，制备出具有翼缘式侧壁结构的三层复合掩膜；4)将注入后的芯片浸泡在去胶液中3～6小时，去除光致刻蚀剂掩膜(3)，再依次湿法腐蚀去除牺牲过渡层(2)和注入阻挡层(1)。