[发明专利]一种多晶硅切片方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅切片方法，属于硅晶单元制备领域，其包括部件清洁，配胶、黏料，切片，采用倾斜式切割设计，切割过程中优先缓慢开槽，待开槽后即可进行竖直切割，通过采用倾斜式设计可以保证在不采用导向槽的情况下优先在硅棒的边棱处切割，切割过程中采用入线侧适用新线进行切割，具备良好的切割效用，可以防止因为残渣而导致的线切侧偏，通过设置通过设置前后两段切割速度，调整切割速度并调整硅料的下降速度，双向磨合切割效率更好，并且可以有效解决以往切割过程中硅片侧偏和线痕问题，可以大大降低废片率，具有良好的生产效用。

主权项

1.一种多晶硅切片方法，其特征在于：S1.部件清洁，分别对晶托、玻璃板的外表面进行清洁，清洁时依次采用纯水和酒精进行擦拭，玻璃板的底面为黏料面，玻璃板的黏料面与水平面之间具有夹角，夹角角度为大于等于0.15°小于等于3°；S2.配胶，采用对应胶体进行融合并静置放热，放热时常为20分钟；S3.黏料，采用步骤S2中配置完毕的胶体将硅棒粘结在黏料面上，将玻璃板固定在晶托的下方，硅棒的底面仰角角度与黏料面仰角角度一致，晶托的最低点高于硅棒的最高点；S4.切片，采用丝网切割机对步骤S3中粘结好的硅棒由下至上进行切割，切割过程为；①启动丝杠切割机，硅棒呈现S3中倾斜姿态由上至下移动，硅棒自接触丝网起开始均匀增速；②所述的硅棒的最低点至硅棒中心水平面为第一切割段，所述的硅棒中心水平面至硅棒最高点为第二切割段；③所述的丝网由硅棒的最低边沿起开始切割，丝网切割第一切割段时的切割速度匀速提升，丝网切割至硅棒中心水平面时速度最高，丝网切割至第二切割段时的切割速度匀速降低，硅棒的入切点的切割速度比出切点的切割速度高25米每分‑30米每分；④与步骤③同时进行，自切割丝网开始切割第一切割段起硅棒的下降速度开始均匀增速，自切割丝网开始切割第二切割段起硅棒的下降速度开始均匀降低；⑤所述的硅棒移动至最低点，丝网在玻璃板上留下切槽并将硅棒整体切断时完成切割；S5.封装，将步骤S4中得到的切割完毕的硅棒置入脱胶池中进行脱胶，脱胶完成后进行漂洗、烘干、电性检测、同心圆检测、封装。