[发明专利]一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法有效
| 申请号： | 201710726006.0 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107475652B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 佟运祥;李莉;周惠敏;李珍;张殿涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C22F1/02;C22C19/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法。(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。本发明工艺简单，对设备要求低，所制备的R相TiNi基记忆合金具有相变热滞后小、循环稳定性好、阻尼损耗因子高、响应频率高等优点，可用于制备驱动器、生物医疗器械等。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆合金 时效处理 超细晶 制备 驱动器 惰性气体保护 生物医疗器械 阻尼损耗因子 循环稳定性 晶粒 合金表面 机械抛光 塑性变形 退火处理 响应频率 对设备 相变热 氧化层 调控 可用 空冷 水冷 酸洗 去除 滞后 | ||
【主权项】：
1.一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，定义R相变结束温度与马氏体相变开始温度之间的差值为R相存在区间，其特征是：(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。
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