[发明专利]一种无电阻式高精度低功耗基准源

摘要

一种无电阻式高精度低功耗基准源，属于电源管理技术领域。启动电路在电路初始化阶段使得基准电路能够正常工作；偏置电流产生电路产生的基准电流作为基准电压产生电路的偏置电流，同时也作为高阶补偿电路的偏置电压，产生的偏置电流可以实现高阶补偿和自偏置需求；基准电压产生电路中负温度系数电压产生部分利用偏置电流作为BJT的集电极电流，得到的负温度系数电压V_CTAT相对于传统V_BE大大降低了V_BE的负温特性，正温度系数电压V_PTAT和负温度系数电压V_CTAT叠加得到基准电压。另外引入了高阶补偿电路，以得到温度特性更好的基准电压；输出部分增加低通滤波电路用来提高基准电路的电源抑制比PSRR。本发明的基准源能够实现纳瓦级功耗，且没有电阻，减小了芯片面积。

主权项

1.一种无电阻式高精度低功耗基准源，其特征在于，包括启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路、高阶补偿电路和低通滤波电路，所述启动电路的输出端连接所述偏置电流产生电路的控制端，所述基准电压产生电路的输出端通过低通滤波电路后输出基准电压Vref；所述偏置电流产生电路包括第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4，第三PMOS管MP3的漏极作为所述偏置电流产生电路的控制端，其栅极接第四PMOS管MP4的栅极和漏极以及第四NMOS管MN4的漏极；第四NMOS管MN4的栅极连接第二NMOS管MN2的栅极和漏极，其源极连接第五NMOS管MN5的栅极和漏极；第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极接电源电压VDD，第二NMOS管MN2和第五NMOS管MN5的源极接地GND；所述基准电压产生电路包括第六NMOS管MN6、第五PMOS管MP5和第一三极管Q1，第五PMOS管MP5的栅极连接所述偏置电流产生电路中第三PMOS管MP3的栅极，其源极接电源电压VDD，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极和漏极并作为所述基准电压产生电路的输出端；第一三极管Q1的发射极连接第六NMOS管MN6的源极，其基极和集电极接地GND；所述高阶补偿电路包括第三NMOS管MN3、第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8，第三NMOS管MN3的栅漏短接并连接第七NMOS管MN7的栅极和所述启动电路的输出端，其源极连接所述偏置电流产生电路中第二NMOS管MN2的栅极；第八NMOS管MN8的栅漏短接并连接所述基准电压产生电路的输出端，其源极连接第七NMOS管MN7的漏极；第七NMOS管MN7的源极连接所述基准电压产生电路中第六NMOS管MN6的源极。