[发明专利]一种中空IRMOF-3薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710690545.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107574465B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 魏金枝;王雪亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明涉及一种利用晶种‑电化学法相结合的方法在金属锌电极表面形成中空IRMOF‑3薄膜的制备方法。本发明的目的是要实现在金属锌片上生长一层中空IRMOF‑3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 薄膜 制备 电化学法 电极表面 金属锌片 金属锌 晶种 生长 | ||
【主权项】：
1.中空IRMOF‑3薄膜的制备方法，其特征在该方法按以下步骤完成的：步骤一、电极的预处理：将金属锌、铜电极分别置于乙醇溶液中超声处理10min，以去除电极表面的杂质；步骤二、晶种‑电化学法制备IRMOF‑3薄膜：1、称取2‑氨基对苯二甲酸和四丁基溴化铵溶于N,N‑二甲基甲酰胺和乙醇的混合溶液中，磁力搅拌4～6min至完全溶解；2、将步骤一预处理后的锌片作为阳极，铜片作为阴极，置于50mL电解槽中，两电极间距0.5～1.5cm，磁力搅拌，连接电源进行反应，电压为5～7V；3、第一次反应5～15min后，更换另一个步骤一预处理的锌片作为阳极，反应体系不改变，第二次15～25min后将电极取出，并用N,N‑二甲基甲酰胺反复清洗三次，自然干燥，第二次锌片表面的薄膜即为中空IRMOF‑3。
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