[发明专利]一种阻隔膜有效
申请号: | 201710689774.3 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107482131B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 张克然 | 申请(专利权)人: | 宁波安特弗新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京策略律师事务所 11546 | 代理人: | 张华 |
地址: | 315100 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种光学用薄膜,尤其涉及一种光学用阻隔膜及其制备方法。为了降低阻隔膜制备工艺的复杂性和降低生产成本,本发明提供一种阻隔膜及其制备方法。所述阻隔膜包括基材层和阻隔层,所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层;所述第一阻隔层在基材层的上表面,第二阻隔层在第一阻隔层的上表面。所述阻隔层在紫外光固化作用下分层得到第一阻隔层和第二阻隔层。本发明提供的阻隔膜具有较高的单层水氧透过率以及高阻隔性,广泛应用于液晶显示设备,能够更好的保护显示设备,提高显示器的使用寿命。本发明提供的阻隔膜的制备方法降低了工艺的复杂性,制备过程不需要真空环境,工艺简单,便于操作,提高生产良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻隔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阻隔膜,其特征在于,所述阻隔膜由基材层和阻隔层组成,所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层,所述阻隔层在紫外光固化作用下分层得到第一阻隔层和第二阻隔层,所述第一阻隔层在基材层的上表面,第二阻隔层在第一阻隔层的上表面;所述基材层的材料为PVDF;在制备过程中,所述阻隔层的材料先配置成涂布液,所述涂布液包括:25‑26%的全氢聚硅氮烷,2.8‑3%的有机聚硅氮烷,1.2‑1.5%的纳米填料,1%的光固化剂,68.5‑70%的溶剂,所述百分比为重量百分比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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