[发明专利]一种制备高导电率二硼化钛/铜复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种制备高导电率二硼化钛/铜复合材料的方法，将片状Cu‑TiH₂复合粉末与纯Cu粉和B粉进行机械混粉，然后将混合粉末冷压成型，并在气氛保护炉中进行热压烧结，即得。本发明采用TiH₂粉代替了Ti粉，有效解决了Ti原子在Cu晶格中的固溶以及Ti在球磨过程中易氧化而降低复合材料导电率的问题；B粉不参与球磨过程，避免了由于B的固溶对复合材料导电率的损害；大部分Cu粉不参与球磨过程，进一步降低了Cu晶格中的缺陷；将Cu粉和TiH₂粉球磨制成片状Cu‑TiH₂复合粉末，使得烧结后增强相依据混粉后球磨片状Cu‑TiH₂复合粉末分布的位置而原位生成，也呈现片状分布，进而提高了复合材料的导电率。

主权项

1.一种制备高导电率二硼化钛/铜复合材料的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备片状Cu‑TiH₂复合粉末；所述步骤1具体为：将纯Cu粉、TiH₂粉在Ar气保护气氛下进行球磨，球磨过程添加无水乙醇作为过程控制剂，即得到片状Cu‑TiH₂复合粉末；所述Cu粉和TiH₂粉摩尔比为3:1‑5:1；步骤2，机械混粉：将步骤1制得的片状Cu‑TiH₂复合粉末与B粉、纯Cu粉机械混合均匀；所述步骤2中B粉与Cu‑TiH₂复合粉末混合后，各物质摩尔比Cu：TiH₂：B＝3:1:2‑5:1:2；纯Cu粉加入后，使得生成的目标增强相TiB₂的质量分数为复合材料的2.5％‑3.5％；步骤3，冷压成型：将步骤2得到的混合粉末冷压成型为预制体；步骤4，热压烧结：将步骤3得到的预制体置于石墨模具中，在N₂气氛保护的热压炉中进行热压烧结，即得到高导电率TiB₂/Cu复合材料。