[发明专利]一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路

摘要

一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路，属于电源管理技术领域。包括启动电路，负温度系数电压产生电路和正温度系数电压产生电路；启动电路在电路初始化阶段将第一NMOS管MN1的栅端拉高，使电路脱离零状态，正常工作后，启动电路将退出工作；负温度系数电压产生电路提取出NMOS管阈值电压VTHN作为负温度系数电压；正温度系数电压产生电路利用漏源电流相等，宽长比不等的亚阈值区MOS管产生正温度系数电压，与负温度系数电压产生电路输出的负温度系数电压进行叠加，输出基准电压VREF。本发明提出的基准电路在一定温度范围内达到近似零温的特性，且能实现μW量级的超低功耗。

主权项

1.一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路，包括启动电路、负温度系数电压产生电路和正温度系数电压产生电路，所述启动电路的输出端连接所述负温度系数电压产生电路的控制端，其特征在于，所述负温度系数电压产生电路包括第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)，第二PMOS管(MP2)的栅极连接第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的栅极、第三NMOS管(MN3)和第二PMOS管(MP2)的漏极，并作为所述负温度系数电压产生电路的控制端；第四NMOS管(MN4)的栅漏短接并连接第五NMOS管(MN5)的栅极和第三PMOS管(MP3)的漏极，其源极连接第五NMOS管(MN5)和第四PMOS管(MP4)的漏极以及第六NMOS管(MN6)的栅极；第五NMOS管(MN5)的源极连接第三NMOS管(MN3)的栅极和第六NMOS管(MN6)的漏极并作为所述负温度系数电压产生电路的输出端；第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的源极接电源电压(VCC)，第三NMOS管(MN3)和第六NMOS管(MN6)的源极接地；所述正温度系数电压产生电路包括第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)、第十一PMOS管(MP11)、第十二PMOS管(MP12)、第十三PMOS管(MP13)和第十四PMOS管(MP14)，第九PMOS管(MP9)的栅极作为所述正温度系数电压产生电路的输入端连接所述负温度系数电压产生电路的输出端，其源极接第六PMOS管(MP6)的漏极和第十PMOS管(MP10)的源极；第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)的栅极互连并连接所述负温度系数电压产生电路中第二PMOS管(MP2)的栅极；第七NMOS管(MN7)的栅源短接并连接第五PMOS管(MP5)的漏极、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)和第十NMOS管(MN10)的栅极；第十PMOS管(MP10)的栅漏短接并连接第十一PMOS管(MP11)的栅极和第八NMOS管(MN8)的源极；第十二PMOS管(MP12)的栅漏短接并连接第十三PMOS管(MP13)的栅极和第九NMOS管(MN9)的源极，其源极连接第七PMOS管(MP7)的漏极和第十一PMOS管(MP11)的源极；第十四PMOS管(MP14)的栅极连接其漏极和第十NMOS管(MN10)的源极，并作为所述基准电路的输出端输出基准电压(VREF)，其源极连接第八PMOS管(MP8)的漏极和第十三PMOS管(MP13)的源极；第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)的源极接电源电压(VCC)，第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第九PMOS管(MP9)、第十一PMOS管(MP11)和第十三PMOS管(MP13)的漏极接地。