[发明专利]控制逻辑、半导体存储器件及其操作方法

摘要

控制逻辑、半导体存储器件及其操作方法。本文提供了控制逻辑、半导体存储器件、操作该控制逻辑的方法和/或操作该半导体存储器件的方法。该半导体存储器件可以包括控制逻辑。该控制逻辑可以被配置成控制要被施加至所选字线的编程电压。该控制逻辑可以被配置成控制要被施加至未选字线的通过电压。 1

主权项

1.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串；

读写电路，所述读写电路被配置成对所述存储单元阵列执行读操作或编程操作；和

控制逻辑，所述控制逻辑被配置成控制所述读写电路以对所述存储单元阵列执行所述读操作或所述编程操作，

其中，所述多个单元串中的每个单元串包括与对应的多条字线联接的多个存储单元，并且

其中，在所述编程操作期间，所述控制逻辑被配置成基于所述单元串中的所选存储单元的位置来确定要被施加至联接至所选存储单元的所选字线的编程电压，并且所述控制逻辑被配置成基于所述编程电压来确定要被施加至未选字线的通过电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，随着联接至所选字线的所选存储单元的位置变得更接近所述单元串的漏极选择晶体管，所述控制逻辑增大要被确定的编程阶跃电压；并且

其中，所述控制逻辑基于所确定的编程阶跃电压来确定要被施加至所选字线的所述编程电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，随着所述单元串中的所选存储单元的沟道宽度变得更宽，所述控制逻辑增大要被确定的编程阶跃电压，并且

其中，所述控制逻辑基于所确定的编程阶跃电压来确定要被施加至所选字线的所述编程电压。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述控制逻辑基于所确定的编程阶跃电压来确定要被施加至所述未选字线的所述通过电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述控制逻辑包括：

设置存储单元，所述设置存储单元被配置成存储根据所选字线的位置的设置值；

编程电压确定单元，所述编程电压确定单元被配置成基于所述设置值来确定要被施加至所选字线的所述编程电压；以及

通过电压确定单元，所述通过电压确定单元被配置成基于所述设置值来确定要被施加至所述未选字线的所述通过电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，该半导体存储器件还包括：

地址解码器，所述地址解码器联接至所述字线并且被配置成对所接收的地址的列地址进行解码；和

电压产生单元，所述电压产生单元被配置成产生所确定的编程电压和所确定的通过电压，并且将产生的编程电压和产生的通过电压传送至所述地址解码器，

其中，所述设置存储单元包括：

组信息产生单元，所述组信息产生单元被配置成产生作为关于所选字线所属组的信息的组信息。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述编程电压确定单元基于所述组信息在所述设置值当中选择要被施加至所述所选字线的编程电压。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述设置值包括根据所选字线的位置的编程阶跃电压值，并且所述编程电压确定单元选择所述编程阶跃电压值中的一个并确定所述编程电压。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述设置值还包括根据所述编程阶跃电压值的通过阶跃电压值，并且所述通过电压确定单元选择所述通过阶跃电压值中的一个并确定所述通过电压。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，随着所选编程阶跃电压值增大，在所述通过阶跃电压值当中选择的所述通过阶跃电压增大。

11.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述设置值还包括根据所述编程阶跃电压值的通过电压重复值，并且所述通过电压确定单元选择所述通过电压重复值中的一个并确定所述通过电压。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，随着所选编程阶跃电压值增大，在所述通过电压重复值当中选择的所述通过电压重复值减小。

13.一种操作半导体存储器件的方法，该方法包括以下步骤：

基于所选存储单元的位置来确定要被施加至字线的编程阶跃电压，所述字线连接到包含在单元串中的多个存储单元当中被选择为要被编程的目标的存储单元；

基于所确定的编程阶跃电压来确定要被施加至多条字线当中的未选字线的通过电压；以及

基于所确定的编程阶跃电压和所确定的通过电压对所选存储单元进行编程操作。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，确定要被施加至所选字线的编程阶跃电压的步骤包括：

随着联接至所选字线的所选存储单元的位置变得更接近所述单元串的漏极选择晶体管，增大所确定的编程阶跃电压。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，确定要被施加至所选字线的编程阶跃电压的步骤包括：

随着联接至所选字线的所选存储单元的沟道宽度变得更宽，增大所确定的编程阶跃电压。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，确定要被施加至未选字线的通过电压的步骤包括：

基于所确定的编程阶跃电压来确定通过阶跃电压；

基于所确定的编程阶跃电压来确定通过电压重复值；以及

基于所确定的通过阶跃电压和所确定的通过电压重复值来确定要被施加至未选字线的通过电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，基于所确定的编程阶跃电压来确定所述通过阶跃电压的步骤包括：

随着所选编程阶跃电压增大，增大所确定的通过阶跃电压。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，基于所确定的编程阶跃电压来确定所述通过电压重复值的步骤包括：

随着所选编程阶跃电压增大，减小所确定的通过电压重复值。

19.一种控制逻辑，该控制逻辑包括：

设置存储单元，所述设置存储单元被配置成存储根据识别所选字线的位置的地址的设置值；

编程电压确定单元，所述编程电压确定单元被配置成基于所述设置值来确定要被施加至所选字线的编程电压；以及

通过电压确定单元，所述通过电压确定单元被配置成基于所述设置值来确定要被施加至未选字线的通过电压。

20.根据权利要求19所述的控制逻辑，

其中，所选字线的位置基于存储串中包括的存储单元在所述存储串中包括的其它存储单元当中的位置。