[发明专利]一种确定离子注入机注入角度偏差的方法

摘要

本发明提出一种确定离子注入机注入角度偏差的方法，包括下列步骤：提供标准硅片和离子注入机；将标准硅片上半部分在离子注入机进行特定程式的离子注入；离子注入机将标准硅片旋转180度，使用相同程式进行下半部分的注入；对标准硅片进行热波或方块电阻量测；分别收集标准硅片上下半部分的量测值；根据量测值计算离子注入机注入角度的偏差。本发明提出的确定离子注入机注入角度偏差的方法，此方法通过对硅片扭角的调整进行两次注入，根据硅片两次热波或方块电阻量测值来确定注入机注入角度校正值，以消除硅片晶向对注入机注入角度校正的影响。

主权项

1.一种确定离子注入机注入角度偏差的方法，其特征在于，包括下列步骤：/n提供标准硅片和离子注入机；/n将标准硅片上半部分在离子注入机进行特定程式的离子注入；/n离子注入机将标准硅片旋转180度，使用相同程式进行下半部分的注入；所述离子注入步骤为：从0度的初始注入角度开始设置的不同注入角度为4个，分别为-1度、-0.5度、0.5度和1度；/n对标准硅片进行热波或方块电阻量测；/n分别收集标准硅片上下半部分的量测值；/n根据量测值计算离子注入机注入角度的偏差；/n所述计算离子注入机注入角度的偏差步骤为：根据量测值画出双V曲线，根据双V曲线中轴线确定中间线，计算中间线到零点的距离作为离子注入机注入角度的偏差；/n所述根据量测值画出双V曲线步骤为：以注入角度为横轴，以热波或方块电阻阻值为纵轴，将数据转化成V型曲线。/n