[发明专利]光电协同表面等离激元-激子催化反应器件及制备方法有效
| 申请号： | 201710609332.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107328754B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 孙萌涛;曹恩;林炜铧 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B01J19/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电协同表面等离激元‑激子催化反应器件及制备方法，属于表面催化反应器件技术领域。该方法首先在二氧化硅/单晶硅的硅片上热蒸发贵金属纳米颗粒，再将二维半导体材料转移到贵金属纳米颗粒基底上，然后将金/铬纳米颗粒通过热蒸发的方式按照先铬后金顺序蒸到二维半导体材料与金属纳米颗复合基底上作为源极/漏极，并且两电极的尺寸和间隙可控；最后利用底座在器件底部引入门电压。本方法在具体制作器件时，由于掩体的尺寸方便控制，所以源极/漏极间的间隙尺寸可控，可根据具体实验的需求设计不同尺寸的间隙，提高分子反应的可利用区域，进而提高局域表面等离激元共振效应，提高表面催化反应的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 协同 表面 离激元 激子 催化 反应 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电协同表面等离激元‑激子催化反应器件，其特征在于：包括硅片、二维半导体材料(4)和源极/漏极(2)，硅片上覆盖贵金属纳米颗粒，贵金属纳米颗粒上覆盖二维半导体材料(4)，源极/漏极(2)位于二维半导体材料(4)上，硅片置于底座上，底座底部引入门电压。
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