[发明专利]双频带全光吸收器结构在审
| 申请号： | 201710598759.8 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107390305A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘正奇;刘桂强;黄镇平;张后交;陈戬;周进 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙)36126 | 代理人： | 黄晶 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双频带全光吸收器结构，所述全光吸收器为银‑单晶硅复合结构，通过在不透光的银膜层上雕刻圆环形沟槽的周期性阵列结构，然后在沟槽中填充单晶硅材料。本发明利用银膜层的不透光特性以及银沟槽提供的电磁共振行为以及单晶硅环形腔体的光学共振响应，实现了在可见光‑近红外频段的双频带全光吸收。该银‑单晶硅复合结构具有吸收光谱在频域上可调谐和结构简单的特性，特别是单晶硅材料由于是嵌套在金属银膜层中，因而可以更为有效地受到金属结构等离激元共振效应的强近场局域与增强效应。 | ||
| 搜索关键词： | 双频 光吸收 结构 | ||
【主权项】：
一种双频带全光吸收器结构，它包括银膜层、单晶硅的环形腔体阵列，其特征在于：自下而上依次设置银膜层、单晶硅的环形腔体阵列，所述银膜层与单晶硅的环形腔体阵列配合形成具有双频带全光吸收特性的全光吸收器结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西师范大学，未经江西师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710598759.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
