[发明专利]一种片上供电网络优化方法有效
| 申请号： | 201710588905.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107506526B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡懿慈;王晨光;闫明;周强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上供电网络优化方法，包括：建立包括供电网络和负载的芯片电路模型，根据芯片电路模型验证芯片是否满足预设的抗旁路攻击能力的安全性约束；若否，则根据芯片电路模型确定供电网络各个节点的瞬态电压；根据瞬态电压和供电引脚模型确定需要添加去耦合电容的节点位置；根据瞬态电压以及去耦合电容的离散化模型确定需要添加的去耦合电容的电容值；确定需要添加去耦合电容的各个节点与各自的相邻节点之间的电导，利用随机行走的算法生成需要添加去耦合电容的各个节点对应的各个子电路；根据获得的去耦合电容的电容值和生成的各个子电路，为子电路内的每个节点分配去耦合子电容，以提高该优化方法的通用性并减小面积和功耗等代价。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 上供 网络 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种片上供电网络优化方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，建立包括供电网络和负载的芯片电路模型，根据所述芯片电路模型来验证芯片是否满足预设的抗旁路攻击能力的安全性约束；S20，若所述芯片不满足预设的抗旁路攻击能力的安全性约束，则根据所述芯片电路模型确定所述供电网络各个节点的瞬态电压；S30，根据所述供电网络各个节点的瞬态电压以及供电网络的供电引脚模型确定需要添加去耦合电容的各个节点位置；S40，根据所述供电网络各个节点的瞬态电压以及去耦合电容的离散化模型，确定需要添加的去耦合电容的电容值；S50，确定当前需要添加去耦合电容的节点与相邻节点之间的电导，利用随机行走的算法，根据确定的电导以所述当前需要添加去耦合电容的节点为起始点向周围扩展生成子电路；S60，根据获得的各个去耦合电容的电容值和生成的各个子电路，为所述各个子电路内的每个节点分配去耦合子电容。
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