[发明专利]一种闪存块模式的动态切换方法及系统

摘要

本发明涉及一种闪存块模式的动态切换方法及系统，将闪存按存储模式划分为SLC区和TLC区，通过所述SLC区写入数据，将所述SLC区的数据搬移到所述TLC区，将空的或者搬出数据后的所述SLC区的部分区域转换为所述TLC区，根据SLC区的空间容量和TLC区容量，直到全部闪存写满数据。本发明一种闪存块模式的动态切换方法及系统，将闪存中的SLC区域和TLC区域动态划分，能够让用户数据每次都写入到高性能的SLC区域，让已经写入SLC区域的用户数据能够在空闲时间搬移到TLC区域。在保证容量的前提下克服当前TLC闪存写入性能过低的问题，实现闪存写操作的性能大幅提升。

主权项

一种闪存块模式的动态切换方法，其特征在于，步骤如下：划分SLC区和TLC区：将闪存按存储模式划分为SLC区和TLC区；写入数据：通过所述SLC区写入数据；搬移数据：将所述SLC区的数据搬移到所述TLC区；SLC区转换为TLC区：将空的或者搬出数据后的所述SLC区的部分区域转换为所述TLC区；动态操作：根据SLC区的空间容量和TLC区容量，在所述TLC区数据写满后依次重复上述通过所述SLC区写入数据、将所述SLC区的数据搬移到所述TLC区、SLC区转换为TLC区，直到全部闪存写满数据。