[发明专利]一种大容量梯度板式阵列电容芯片及其制备方法

摘要

一种大容量梯度板式阵列电容芯片及其制备方法，属于多层陶瓷器件领域。所述板式阵列电容芯片包括第一芯片、以及镶嵌于第一芯片中的第二芯片，所述第一芯片采用介电常数为1000～10000的第一介电陶瓷粉料制得，第二芯片采用介电常数为4～20的第二介电陶瓷粉料制得。本发明板式阵列电容芯片是由两个不同介电常数的介质材料制作的芯片焊接形成的，充分利用不同材料之间介电常数的显著差异，实现了孔位的大容量梯度，其最大容量梯度可以实现10000:1以上；本发明板式阵列电容芯片的制备方法简单，无需对现有设备改造，且得到的板式阵列电容芯片兼具传统板式电容可靠性高和易于装配的优点，可以广泛应用于航空航天滤波连接器中。

主权项

1.一种大容量梯度板式阵列电容芯片，其特征在于，所述板式阵列电容芯片包括第一芯片、以及镶嵌于第一芯片中的第二芯片，所述第一芯片采用介电常数为1000～10000的第一介电陶瓷粉料制得，第二芯片采用介电常数为4～20的第二介电陶瓷粉料制得；所述大容量梯度板式阵列电容芯片采用以下方法制备得到：步骤1：将第一介电陶瓷粉料通过干法流延制成生瓷带，作为膜片A1；采用丝网印刷的方式在膜片A1上印刷外电极，得到膜片B1；采用丝网印刷的方式在膜片A1上印刷内电极，得到膜片C1；步骤2：将步骤1得到的膜片A1、B1、C1按照A1_a/(B1/C1)_m/A1_a的方式层叠，并压制成致密的巴块，其中，a≤20，40＜m＜200；步骤3：采用模具冲孔的方式在步骤2得到的巴块上形成n个通孔，经排胶、烧结后，得到第一芯片；其中，第1至n‑1个通孔的内径为R1，孔内壁引出端为内电极，第n个通孔的内径为R2，孔内壁引出端为外电极，n＜150；步骤4：将第二介电陶瓷粉料通过干法流延制成生瓷带，作为膜片A2；采用丝网印刷的方式在膜片A2上印刷外电极，得到膜片B2；采用丝网印刷的方式在膜片A2上印刷内电极，得到膜片C2；步骤5：将步骤4得到的膜片A2、B2、C2按照A2_b/(B2/C2)_k/A2_b的方式层叠，并压制成致密的巴块，其中，50＜b＜200，k＜10，m+a＝k+b；步骤6：采用模具冲孔的方式在步骤5得到的巴块上形成p个通孔，经排胶、烧结后，得到第二芯片；其中，所述p个通孔的内径为R1，孔内壁引出端为内电极，所述步骤5得到的巴块直径为R2，其外壁引出端为外电极，p＜n；步骤7：将第二芯片焊接于第一芯片的第n个通孔内，使第二芯片的外壁与第一芯片的第n个通孔的内壁连在一起，即可得到具有n+p‑1个孔的板式阵列电容芯片。