[发明专利]一种以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜及其制备方法有效
申请号: | 201710570521.4 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107227460B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 李全民;吴玉堂;朱敏;黄胜弟;王国力 | 申请(专利权)人: | 南京波长光电科技股份有限公司;南京光研软件系统有限公司 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04;C23C14/46;C23C14/06 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 张学彪 |
地址: | 211123 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜及其制备方法。以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜,包括硫系红外玻璃基底层、DLC膜层、以及设在硫系红外玻璃基底层和DLC膜层之间的粘结层,粘结层包括相互交替的ZnSe层和Ge层,ZnSe层有2‑5层。本发明以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜,具有优异的增透效果、耐温性能、机械强度和附着力,且制备简单、易操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 玻璃 基底 dlc 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜,其特征在于:双面镀膜,其中,背面镀膜包括依次相接的ZnS层、第一YF3层、第一ZnSe’层、第二YF3层、第二ZnSe’层和硫系红外玻璃基底层,其中,ZnS层的厚度为200±5nm、第一YF3层的厚度为1046±5nm、第一ZnSe’层的厚度为296±5nm、第二YF3层的厚度为105±5nm、第二ZnSe’层的厚度为865±5nm;正面镀膜包括依次设在硫系红外玻璃基底层上的DLC膜层、以及设在硫系红外玻璃基底层和DLC膜层之间的粘结层,粘结层包括相互交替的ZnSe层和Ge层,ZnSe层有3层;各层依次为:顺序相接的硫系红外玻璃基底层、第一ZnSe层、第一Ge层、第二ZnSe层、第二Ge层、第三ZnSe层、第三Ge层和DLC膜层;第一ZnSe层、第二ZnSe层和第三ZnSe层的厚度依次递减;从第一ZnSe层到DLC膜层,各层的物理厚度依次为400±5nm、242±5nm、246±5nm、177±5nm、180±5nm、400±5nm和1285±5nm;硫系红外玻璃基底层的厚度为2‑10mm;以硫系红外玻璃为基底的增透DLC膜的制备方法:依次在硫系红外玻璃基底层上制作粘结层和DLC膜层,粘结层的制备采用含有离子源的镀膜机在真空状态下进行镀膜,起始真空度为(1±0.1)×10‑3Pa;离子源的加速电压为200±10V,屏极电压为400±10V,束流为40±5mA。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京波长光电科技股份有限公司;南京光研软件系统有限公司,未经南京波长光电科技股份有限公司;南京光研软件系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710570521.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光熔覆装置
- 下一篇:打壳气缸侧部抬升连接装置
- 同类专利
- 专利分类