[发明专利]一种通电促进巴氏芽孢杆菌诱导沉积碳酸钙的方法在审
| 申请号： | 201710539622.5 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107164351A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈彦瑞;雷学文;毛炎炎;李勇;张浪;吴苇凌 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C12N9/80 | 分类号： | C12N9/80;C12P3/00;C12R1/07 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 彭劲松 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通电促进巴氏芽孢杆菌诱导沉积碳酸钙的方法。本发明方法为通电培养巴氏芽孢杆菌的方法，通电电压为0.4‑1.6V。通过通电培养可以促进巴氏芽孢杆菌产生更多的脲酶，其培养液在含氯化钙和尿素的体系中诱导产生的碳酸钙的速率也会相应提高，因此通电培养巴氏芽孢杆菌可用于诱导沉积碳酸钙，以应用于多孔介质材料的堵漏、松散砂颗粒的固化以及其他与MICP技术有关的实际应用中。将本发明与电渗灌浆法相结合具有良好的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 促进 芽孢 杆菌 诱导 沉积 碳酸钙 方法 | ||
【主权项】：
一种促进巴氏芽孢杆菌产生脲酶的方法，其特征在于：所述的方法为通电培养巴氏芽孢杆菌的方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学，未经武汉科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710539622.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
