[发明专利]加热装置有效
申请号: | 201710519305.7 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109216189B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 梁耀祥;卢祈鸣;黄之骏;黄志昌;曹荣志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/477 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本揭露有关于一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。此承载平台是用以承载晶圆,且复合加热环设置于承载平台及晶圆之间。其中,复合加热环是沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载平台的承载面,且第一加热环具有阶梯状结构。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中,且第二加热环的顶面直接接触晶圆的底面。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
【主权项】:
1.一种加热装置,其特征在于,该加热装置包含:一承载平台,具有一承载面,且该承载平台是用以承载一晶圆;以及一复合加热环,设于该承载平台及该晶圆之间,且该复合加热环沿着该晶圆的一边缘延伸,其中该复合加热环包含:一第一加热环,该第一加热环的一底面直接接触该承载面,且该第一加热环具有一阶梯状结构,其中该阶梯状结构的一开口朝向该晶圆的该边缘,且该第一加热环具有一第一熔点;以及一第二加热环,设于该开口中,其中该第二加热环的一顶面直接接触该晶圆的一晶圆底面,该第二加热环具有一第二熔点,且该第二熔点是大于该第一熔点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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