[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、OLED显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括设置在衬底基板上的有源层，其中，所述有源层包括位于同一结构层中的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区的材料为多晶硅，所述第一有源区包括第一沟道区和分别位于所述第一沟道区两侧的第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区上设置有第一接触层，所述第一漏极区上设置有第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层的材料均为掺杂硼的多晶硅；第二有源区的材料为金属氧化物半导体材料，所述第二有源区包括第二沟道区和分别位于所述第二沟道区两侧的第二源极区和第二漏极区。本发明还公开了如上所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法以及包含该阵列基板的OLED显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括设置在衬底基板上的有源层，其特征在于，所述有源层包括位于同一结构层中的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区的材料为多晶硅，所述第一有源区包括第一沟道区和分别位于所述第一沟道区两侧的第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区上设置有第一接触层，所述第一漏极区上设置有第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层的材料均为掺杂硼的多晶硅；第二有源区的材料为金属氧化物半导体材料，所述第二有源区包括第二沟道区和分别位于所述第二沟道区两侧的第二源极区和第二漏极区。