[发明专利]微纳网状结构In2

摘要

本发明实施公开了一种微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法，以氧化铟或者氧化锡微颗粒为基体，并利用利用热蒸镀的方式在上述微颗粒上原位生长包含另一种材料（氧化锡或者氧化铟）的纳米晶，同时，通过控制生长环境和生长时间使上述纳米晶形成一维或准一维的结构并且相互连通，进而构成氧化铟/氧化锡网状结构复合材料。本发明实施例提供的复合材料由两种材料复合而成，具有比单一金属氧化物更多表面活性位点和结构，因此可敏感探测气体种类和灵敏度更高；另外，该材料还具有高比表面积、网状相连结构不团聚、材料有序活性位点多且气敏性能优异，具有很好的工业化前景。

主权项

一种微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料的生长方法，其特征在于，所述方法包括:根据分别将第一原料微颗粒基板置入高温炉腔室中的第二温区，第二原料置入所述高温炉腔室中第一温区的坩埚中，其中，所述第一原料微颗粒包括氧化锡微颗粒、所述第二原料包括掺锡的氧化铟，或者所述第一原料微颗粒包括氧化铟微颗粒、所述第二原料包括掺铟的氧化锡向所述高温炉腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述高温炉腔室抽真空使所述高温炉腔室内的真空度到预设值；对所述第一温区和所述第二温区加热，使所述第二原料高温挥发成蒸汽；使所述蒸汽中的金属成分在第一原料微颗粒处冷凝、所述蒸汽中的金属氧化物成分以冷凝在所述第一原料微颗粒上的金属液滴为原位生长纳米晶，直至形成氧化铟/氧化锡网状结构复合材料。