[发明专利]一种羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极及其制备方法在审
申请号: | 201710500414.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN109148834A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 周霞 | 申请(专利权)人: | 周霞 |
主分类号: | H01M4/26 | 分类号: | H01M4/26;H01M4/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极的方法,该方法包括:将氢氧化镍置于0.1~0.5mol/L的氯化钴溶液中,30~40℃搅拌下缓慢滴加0.5~1mol/L的氢氧化钾溶液,沉淀完全后过滤得到的固体转移到5~7mol/L的氢氧化钾溶液中,60~80℃恒温下加入次氯酸钠充分氧化后,将得到的产物洗涤至中性,干燥,研磨,过筛,即得羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极。本发明还公开了一种由上述方法制得的羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极。本发明的化学氧化法制得的羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极,具有较高的稳定性和容量保持率。 | ||
搜索关键词: | 羟基氧化钴 表面包覆 电极 发泡镍 氢氧化钾溶液 制备 氯化钴溶液 容量保持率 次氯酸钠 化学氧化 缓慢滴加 氢氧化镍 研磨 过筛 洗涤 沉淀 过滤 | ||
【主权项】:
1.一种化学氧化法制备羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极的方法,其特征在于,该方法包括:将氢氧化镍置于0.1~0.5mol/L的氯化钴溶液中,30~40℃搅拌下缓慢滴加0.5~1mol/L的氢氧化钾溶液,沉淀完全后过滤得到的固体转移到5~7mol/L的氢氧化钾溶液中,60~80℃恒温下加入次氯酸钠充分氧化后,将得到的产物洗涤至中性,干燥,研磨,过筛,即得羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极。
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